氮化硅金属元素分析

检测项目

1. 过渡金属杂质分析：铁、铬、镍、铜、锰、钛、钒、钴、锌等。

2. 碱金属与碱土金属分析：钠、钾、锂、钙、镁等。

3. 重金属杂质分析：铅、镉、汞、砷等。

4. 高熔点金属元素分析：钨、钼、钽、铌等。

5. 稀土元素分析：镧、铈、钇、钕等。

6. 半导体工艺干扰元素分析：铀、钍等放射性元素及特定重金属。

7. 主量元素硅的定量分析：总硅含量测定。

8. 氮含量测定：结合态氮元素分析。

9. 氧含量测定：总氧及表面氧分析。

10. 碳含量测定：总碳及游离碳分析。

11. 氯、氟等卤素杂质分析：氯离子、氟离子含量。

检测范围

半导体用氮化硅陶瓷部件、氮化硅陶瓷基板、氮化硅陶瓷密封环、氮化硅陶瓷轴承球、氮化硅陶瓷切削刀具、氮化硅防护涂层、反应烧结氮化硅制品、热压烧结氮化硅制品、气压烧结氮化硅制品、氮化硅陶瓷基复合材料、高纯氮化硅粉体、氮化硅晶须、氮化硅薄膜、氮化硅晶圆承载器、氮化硅热处理夹具、氮化硅绝缘散热片、氮化硅陶瓷喷嘴、氮化硅陶瓷坩埚

检测设备

1. 电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量及超痕量金属元素的高灵敏度、多元素同时分析；具备极低的检测下限与宽线性动态范围。

2. 电感耦合等离子体发射光谱仪：用于常量及微量金属元素的快速定量分析；适用于主量元素硅及多种杂质元素的测定。

3. X射线荧光光谱仪：用于材料中主量及次量元素的快速无损筛查与分析；可进行固体制品的表面元素分布 mapping 分析。

4. 氧氮分析仪：采用热导法或红外法，精确测定材料中的总氧含量与总氮含量；专用于陶瓷材料的气体元素分析。

5. 高频燃烧红外碳硫分析仪：通过高温燃烧将碳硫转化为气体，利用红外检测器精确测定总碳和总硫含量。

6. 辉光放电质谱仪：用于材料从表面到深度的元素成分分析，特别适用于高纯材料中痕量杂质的深度剖析。

7. 原子吸收光谱仪：用于特定单一金属元素的精确定量分析，如钠、钾、钙、镁等碱金属与碱土金属。

8. X射线光电子能谱仪：用于材料表面及界面元素的化学态与价态分析，可测试表面污染与元素结合形式。

9. 离子色谱仪：用于分析材料中可溶性的阴离子杂质，如氯离子、氟离子、硫酸根离子等。

10. 激光剥蚀进样系统：与等离子体质谱或发射光谱联用，实现固体样品微区原位分析及元素分布成像。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.